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七乐彩的玩法: 谈谈 QR 能使反激电源的效率提升多少
阅读: 24120 |  回复: 166 楼层直达

2012/06/25 16:50:30
1
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

空竹的玩法 www.2n0d.com.cn

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现在QR越来越多的用在反激电源中,俨然已经成了大趋势。QR的好处大家都知道,能提升效率同时减小EMI。这是书上说的。实际用过的人感觉并不一样。有人说效率根本没什么提升,甚至还不如CCM。也有人讲能提高效率 5%。QR到底能提高多少效率呢?不知道有没有人做实验比较过,好像在坛子里还没有发现。类似的问题之前有人提出,但是没有什么反应。相信现在很多人都接触过了QR的设计方案,如今再把这个问题提出来,不知道大家有没有兴趣讨论一下 ~ 

标签 反激
2012/06/25 17:27:36
2
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

先找个图看看 ~   有人讲 QR(准谐振技术),可以实现开关管的零电压开通,从而提高了效率、减少了EMI噪声。实际上MOS管在开通时 Vds似乎并不是0。只不过电压处于相对的低位,也就是所谓的低谷。 当然,相对来说效率还是有所提高,EMI也会相应的有所减少

 

另外,这个谷底越低,就越接近于零电压。于是就有了要尽量提高反射电压Vor的说法 ~

2013/01/06 20:50:33
92
tanb006[版主]
电源币:11 | 积分:40 主题帖:205 | 回复帖:934
LV10
司令


2013/01/11 13:11:16
93
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅

是的!

2013/11/30 10:13:27
138
oyang314
电源币:3 | 积分:5 主题帖:4 | 回复帖:134
LV5
营长
提高反射电压,谷底就会越低吗?
2014/03/20 21:58:58
147
120421322
电源币:0 | 积分:0 主题帖:25 | 回复帖:110
LV6
团长
向楼主的钻研精神致敬!占位有时间再细品.
2012/06/25 17:41:51
3
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

换一张图看的清楚些 ~ 

   


2012/06/26 09:56:52
4
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
由上图看出,这个QR谐振是以Vin为中轴,以Vor为初始振幅,不断衰减的振荡。这个振荡的能量来自MOS管两端的电容Cp,或者叫Ctot。这个Ctot包括MOS管的输出电容Coss、变压器的寄生电容、线路的分布电容以及次级反射到初级的电容,一句话 - 就是Vds两端看到的所有电容的总和??伎吹?Ctot 的时候有些不解,tot什么意思呢? 后来想明白了,应该是 total 的缩写 ~
2012/06/27 18:48:53
49
meiguihai
电源币:489 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:43
LV4
连长

经典

 

2013/01/11 13:11:34
94
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅

是的!

2012/10/27 20:28:26
87
luoyanwu
电源币:76 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:84
LV5
营长
,受教啦,谢谢大师
2013/03/28 23:25:30
123
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
学习大侠的经典之作
2014/05/06 09:46:53
153
yiligd
电源币:25 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:41
LV4
连长
led日光灯电源进来学习了,顺便帮忙顶下!
2012/06/26 10:22:59
5
wei520
电源币:2 | 积分:0 主题帖:84 | 回复帖:154
LV6
团长
关注
2012/06/26 10:44:23
6
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

参与振荡的电感是初级电感 Lp。  如果不受干扰的话,这个谐振会一路衰减下去直到消失。 

  

Ctot上面的能量由原来的 

   

2013/01/11 13:11:52
95
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅

是的!

2012/06/26 11:39:32
7
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
CCM模式下,由于初级电感上的能量没有全部传递到次级。MOS管开通的时候,次级的二极管上面还有电流。Vor一直存在,所以MOS管的Vds上没能出现振荡。MOS管开通过程中,Ctot上的电压由Vin+Vor变成 0。电容上的能量全部消耗在 MOS管上发热了,这也就是MOS管的开通损耗 turn-on loss(这里不讨论MOS管的 crossover loss)。其大小为

   

QR模式下电源实际上工作在DCM模式,MOS管选择在 Vds电压的低谷时开通。这样 Ctot上的能量损耗(也就是MOS管的turn-on loss)要小一些 ~ 所以,QR的实质是减小MOS管的开通损耗。

 
2012/06/27 16:24:30
47
suichan
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:23
LV3
排长

不好意思,有個地方想不通。請問圖a的ID應該是二次側Diode的電流,而圖b的ID是一次側MOS的電流的意思嗎?如果圖a的ID是一次側MOS電流,是否應該於VDS電壓出現時ID就下降?煩請各位指點。

2012/06/27 20:26:40
50
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
当时找来这个图是为了说明CCM与QR模式 Vds电压的波形。没有留意电流的样子,看来似乎是有些错误。谢谢你指出来 ~
2012/06/28 08:08:09
53
suichan
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:23
LV3
排长
多謝版主的回覆與說明,此帖真是令我獲益良多!
2013/01/11 13:12:10
96
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅

是的!

2012/06/26 12:08:01
8
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
那么MOS管上的这个开通损耗有多大呢?我们来看一下PI 的AN,由功率损耗的估算表中可以看出,一个输出34W、效率 87%的普通反激电源,其MOS管的开通损耗是0.43W,也就是总功率的 1%多一点。QR模式下,即使这个开通损耗减小到 0,效率的提升,充其量也就如此。

到这里我们似乎得出了结论 -- QR作用于反激电源,其效率的提高不太可能有 5%那么多,(PI的例子中)最多也不会超过1.5%。实际上由于谷底的电压并非0,这个效率的提升还要再打折扣 ~

 
2012/06/26 16:56:10
16
10227
电源币:780 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:423
LV7
旅长

之前也有效率是否能提升如此多的问号,现在总算能进一步了解.

2013/01/11 13:12:34
97
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
讲得很好!
2018/06/25 08:43:44
167
willeon
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
MOS管除了开通损耗,还有一个输出电容COSS损耗,QR能降低MOS开通时的VDS上面的电压,相应COSS的损耗也会减小,你的计算还需要加上这部分的损耗减少。
2012/06/26 13:18:09
9
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
没有人来评论 ~ 不知道大家是同意我的分析,还是对这个话题不感兴趣。
2012/06/26 13:51:34
10
mjun
电源币:123 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:224
LV7
旅长
兄弟分析的有道理,QR实质上就是减少MOS管的开通损耗,但是MOS管的开关损耗中关断损耗才是主要的!
2012/06/26 14:55:49
11
zvszcs
电源币:220 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3326
LV12
元帅
次级整流管的功耗也降低了
2012/06/26 15:50:52
12
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
QR的工作模式就像一个频率变化的DCM, 所以实际上应该和 DCM模式相比较才合理 ~ 

记得 Z版之前在一个帖子里介绍了ON Semi 的最新准谐振 IC  NCP1380, 还附有振荡的波形 。  从波形中可以看出 -- 相比于之前的版本NCP1337, 1380增加了个 Frequency foldback 或者叫 VCO mode。在轻载的时候降低频率,以减少MOS管的开通损耗。该模式 ON Bright 的QR IC OB2361在几年前就有了

 ~【原创】ON新一代芯片的使用心得 [原]

2013/01/11 13:12:51
98
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
讲得很好!
2012/06/26 16:14:24
13
yhtfeel
电源币:88 | 积分:10 主题帖:6 | 回复帖:322
LV7
旅长
分析的很好!顶起!
2012/06/26 16:27:09
14
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
谢谢楼上的肯定 ~
2012/06/26 18:35:35
18
song_du
电源币:30 | 积分:1 主题帖:11 | 回复帖:61
LV4
连长

透彻 我这个菜鸟都看懂了点~~~

2012/06/26 16:31:07
15
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
上面从PI的反激电源案例的MOS管损耗数据中,我们可以大致上了解 QR模式对于反激电源的效率提升有多大的影响,但并非准确的计算。下面用一个实际的电源案例来具体的算一下 ~  

手上的这个QR反激电源用的IC是OB2361。严格地来说这颗IC只能说是带有QR功能的PWM控制IC.因为IC并不是始终工作在QR模式,只有在高压或是低压轻载时才进入QR,低压满载时则工作在CCM模式。当负载很轻时,频率会降低到二、三十KHz,以减小开关损耗,也就是所谓的FB(Frequency foldback)。OB2361的这些特点很好的适应了没有PFC的小功率反激电源。最大限度的发挥了QR的优点,同时弥补了低压时QR效率低的不足。
有关的问题,坛子里的朋友之前曾经有指出过 ~ 请参看  能源之星5-----衬论QR之道

 
2013/01/11 13:13:14
99
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
讲得很好!
2014/02/20 12:06:55
142
weile8574551
电源币:3 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:4
LV2
班长

楼主,能不能帮忙解释下,为什么低压状态下,QR的效率会低!

2012/06/26 17:12:16
17
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
先帖上些波形图 ~   如果用看图软件(例如ACDsee)一张张翻看,会很有趣 ~ 

Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.1A 
 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.2A 

  


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.3A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.4A

  

Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.5A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.6A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.7A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.8A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=0.9A

  


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.0A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.1A

  


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.2A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.3A

  


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.4A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.5A 

 


Vin=200Vac ; Vout = 19V ; Iout=1.6A 

 

2012/06/26 18:37:47
19
zvszcs
电源币:220 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3326
LV12
元帅
图形比我的漂亮多了,示波器真清晰
2012/06/26 20:06:15
20
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
Z 版过奖,是老板的示波器好 ~
2012/07/02 22:17:11
67
bdzn
电源币:113 | 积分:0 主题帖:127 | 回复帖:838
LV9
军长

怎么这波形一点毛刺干扰都没有?

2012/08/22 12:01:01
77
jefferyliu
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:13
LV2
班长

从波形上看,你的电感做的也太好了吧一点漏感都没有?或是你的吸收电路做的很好?

2013/01/11 13:13:40
100
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
CCM?
2013/01/31 15:51:10
118
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅
尖峰很小。。。做得非常不错。。
2014/08/10 18:44:53
155
971631040
电源币:304 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:23
LV3
排长

你用的是那颗控制芯片,你的波形好漂亮!赞!把你这颗芯片的资料传一份给我吧?谢谢[email protected]

2014/12/11 16:23:23
158
215661599
电源币:23 | 积分:0 主题帖:11 | 回复帖:12
LV3
排长
学习了
2012/06/26 21:04:48
21
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
言归正传,分析一个实际的 QR反激案例??纯聪啾扔诠潭ㄆ德实钠胀ǖ缭?,QR的效率能提高多少 ~
输入电压:90 - 264Vac; 输出低压: 19V ; 输出功率: 24W
输入端的电解电容 Cin用47uF/400V。根据下面公式,可以算出最低 DC电压 Vin(min) = 88V

Dmax取0.46; 则反射电压
 
大家都知道,要想发挥QR的优势,Vor的取值越大越好。然而,没有PFC 情况下的全电压输入电源,由于低压比较低,Vor不可能太高。所以也用不着800V的MOS管。当然,如果舍得给钱的话,加大输入电容,则可以提高Vin。Vor也能相应提高。假设用68uF/400V的电容,Vin (min) = 102V ;  Dmax 取0.48 的话,Vor = 94V  会高一些


2012/06/26 22:34:34
24
lvyuanpu
电源币:0 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:110
LV5
营长

请教楼主,为什么Vor越大越好,额。

还有第一张和第二章图片是否是轻载跳频?

第三章和第四章也有点轻载跳频的感觉。。

请赐教。

 

2012/06/26 22:55:36
25
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

由于谐振是以Vin为中轴,以Vor为初始振幅,不断衰减的振荡。

  

Vor越大,则谷底(valley) 的电压Vds就越低。MOS管开通时刻,Ctot上的能量就越小,损耗也就越小 ~ Ctot上的能量大约为

 

轻载时的频率会降低,这是OB2361 IC的特性,以此来减小轻载时的开关损耗 ~ 不算是跳频吧

2012/06/27 09:04:58
26
lvyuanpu
电源币:0 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:110
LV5
营长

楼主,谢谢回复。

可能我措词有问题,呵呵。我说的跳频就是您说的那个意思,不好意思。

关于Vor还是想请教一下。Vor高的话似乎是能让开通损耗降低,但是相同使VDS上升,造成了关断损耗的增加。额。

而且VOR设计比较大的话,必然要求匝比的上升,变压器的铜损似乎也会有些提高;VOR的提高似乎也迫使占空比的增加,这也会导致损耗以及环路的潜在问题。

我认为不能一味的追求高Vor,要综合考虑。

不知道楼主在设计时候是否出现这些问题,以上只是小弟的猜测,有错误的地方请不吝指教。谢谢。

2012/06/27 10:06:45
29
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

指教谈不上,大家一起讨论 ~  首先觉的你的问题提的非常好,我之前没有想过这个问题。

1. 关于MOS管的关断损耗(crossover loss),之前有网友 cheng111  总结过。请参看 MOS管的开关损耗-反激式分析   

 

 

对于上面的公式,我有不同的看法 。 个人以为公式中的电压应该是电源电压Vin,而不是Vds。

   

理由是 -- 反射电压Vor的出现,是在初级电流Ip停止、次级的整流管导通后,变压器上的能量在次级绕组中释放时候才产生的?;痪浠八?--- 初次级绕组上的电流不能同时存在 ~

2.提高Vor,势必要提高匝数比。但是,是以减小次级绕组来实现的。初级绕组的计算另有公式,相信你是很熟的 ~ 


2012/06/27 11:19:52
33
lvyuanpu
电源币:0 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:110
LV5
营长

楼主,您好,看来您上班也能看帖啊,哈哈。

从您的回复中看得出您太有心了,解答的有理有据有节啊,哈哈。

不过您的那一句“反射电压Vor的出现,是在初级电流Ip停止、次级的整流管导通后,变压器上的能量在次级绕组中释放时候才产生的?;痪浠八?--- 初次级绕组上的电流不能同时存在 ~”小弟有些不同意见啊。

次级整流管电流和初级电流IP的变化都是动态的,次级的电流只要让肖特基二极管稍微导通的话,次级线圈上就已经产生了电压(个人观点)。此时,初级IP的电流也处于动态下降的过程。这两个电流应该是联动变化的。

第二个线圈的事情,您说的也有道理,但是总觉得有点怪怪的,毕竟40匝:8匝和40匝:5匝应该会有很大的区别的,我刚才也就想到要后者的FET要搞个贵点的,呵呵。请容我再思考思考。

2012/06/27 11:42:21
35
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
1. 记得书上说 -- 初级电流截止后,变压器线圈的极性反转,次级的整流管才得以导通。如果初次级电流同时导通,那么极性到底是怎样的呢? 
对这个问题没有仔细研究过,希望能有网友给些指导 ~ 

2. 匝数比提高、Vor增大,MOS管耐压的提高是必要的。所以看到的一些QR的介绍中,都讲要用800V的MOS管以发挥QR的作用 ~
2012/06/27 17:20:47
48
mjun
电源币:123 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:224
LV7
旅长

对于第一点,我认为是这样的,次级线圈产生使次级整流管导通的正向感应电动势是在初级电流减少时就产生了,根据楞次定律可以作出判断。

2012/06/30 09:38:42
64
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

网上看到的,不知道是否准确 ~

 

2012/07/01 16:55:58
65
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

在 PI 的AN里找到了答案 ~  lvyuanpu 和 mjun的说法是对的

 


2014/09/07 15:46:19
157
1181908252
电源币:20 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:5
LV2
班长
CROSSOVER INTERVAL 就是死区时间吧?
2013/11/28 15:32:41
136
少年鞍马
电源币:70 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:102
LV4
连长
第二张示意图是开通损耗吧?
2012/06/27 11:14:10
32
zouliquan
电源币:2 | 积分:3 主题帖:4 | 回复帖:61
LV4
连长

又见到这个神奇的公式了,版主能不能给给俺讲讲是如何推倒出来的,灰常感谢。 (那个计算最小电压的公式)

2012/06/27 11:41:40
34
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

你是讲这个电容的储能公式吗? 这个公式是基本的电工学公式,应该是前人通过实验总结出来的吧 ~ 

 

2012/06/27 11:57:26
36
zouliquan
电源币:2 | 积分:3 主题帖:4 | 回复帖:61
LV4
连长
不是,是那个最小DC的公式,俺就是不明白是如何来的?请前辈指点
2012/06/27 12:17:13
37
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

你说的是下面这个公式吧 ~ 真是巧了,我之前还真曾经帮一位网友推导过这个公式。请参看 问题已解决,谢谢mko145

 

2012/06/27 13:40:59
39
zouliquan
电源币:2 | 积分:3 主题帖:4 | 回复帖:61
LV4
连长
,谢谢版主了。差不多明白了,那个tc是估算的吗?
2013/01/11 13:14:00
101
Constance[版主]
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LV11
统帅
dcm?
2013/01/21 17:54:17
112
小木子
电源币:0 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:19
LV3
排长
好像Vor与输入电压大小无关吧
2015/01/03 17:51:37
160
w6313842
电源币:20 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:5
LV1
士兵
能教我算你那个公式吗?我怎么算都算不出来,TC取值0.003S  FL取值50K  VACMIN取值90V
2015/04/01 09:11:50
163
墨尘
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
楼主想请问一下,反射电压不是Np/Ns(Vout+Vf)么?怎么会与输入电压有关呢?
2018/06/06 14:55:39
165
q348036508
电源币:0 | 积分:3 主题帖:0 | 回复帖:1
LV1
士兵
VIN提高了所需VOR电压也就越高,所以里电压还是不能接近0,还有可能离0更远了。Vin这根中轴离0更远
2012/06/26 22:19:40
22
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
  
CCM模式,MOS管开通时候Vds=Vin+Vor; DCM模式,MOS管有可能在A、B或C等任何时刻开通。让我们假设是B点开通(损耗最大)。B点的电压虽然比Vin+Vor已经有所下降,如果把Ctot上的能量在之前衰减过程中的损耗也一起算进来的话,那么一个周期内Ctot上的能量损耗也还是
 
QR模式下,假设MOS管在第一个谷底处开通??悸堑叫痴竦恼穹延兴跣?,设其幅度约为 Vor-5V。则MOS管开通时 Ctot上的能量损耗为
 
 Ctot上的能量损耗也就是MOS管的开通损耗。显然,QR模式的MOS管开通损耗要小 ~
2013/01/11 13:14:33
102
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅

损耗多大呢?

2012/06/26 22:23:18
23
javike[荣誉版主]
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LV12
元帅
顶起!搬个板凳来听课。。。。
2012/06/27 09:06:30
27
jinfengszh
电源币:0 | 积分:0 主题帖:35 | 回复帖:114
LV5
营长

精彩

2012/06/27 09:58:12
28
tony_dai
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LV8
师长
听课喔...
2012/06/27 11:08:01
30
mko145
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LV8
师长
楼上各位说笑了 ~ 不是什么讲课。只因前几天Z版发了个帖子 --- 讨论反激电源的效率极限, 讲到QR、SR和双管反激等提高效率的方法。于是思考了一下这几种方法到底能提高多少效率,哪一种方法更合算。将自己的分析提出来和大家讨论一下,欢迎拍砖 ~
2013/01/11 13:14:51
103
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
讲得很好!
2012/06/27 11:12:39
31
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
接下来要搞清楚Ctot到底是多少, 前面帖子里讲了- 这个Ctot包括MOS管的输出电容Coss、变压器的寄生电容、线路的分布电容以及次级反射到初级的电容,也就是Vds两端看到的所有电容的总和。其中输出电容Coss可以在datasheet中查到,但是通常只给出了 25V时候的数值。与实际 MOS管开关时的300~400V,还是有不少出入。
网上看到 樊永隆先生的“确定准谐振反激式变换器主要设计参数的实用方法”一文中提到 “ 用25V的数值来计算,不会有什么影响 ” 的说法,个人以为不太靠谱。
下面是(本案例中使用的)MOS管 4N60的datasheet 中的Coss参数,及随电压的变化曲线 ~

 

 
由上图可以看出Coss的数值,在电压上升到25V以后继续减小,到 300~400V时有可能少了一半。估计大概有50~60pF的样子吧。查看了一些大电流的MOS管,其Coss随电压的变化趋势都差不多是这样 ~

2012/06/27 13:14:53
38
zhenxiang
电源币:1249 | 积分:17 主题帖:164 | 回复帖:1534
LV10
司令
一直对QR能提高多少反激的效率心存疑问,楼主的帖子图文并茂确实是经典,很有研究价值。
2012/06/27 13:44:29
40
fengxunshi
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:178
LV5
营长
狠好的贴,,
2012/06/27 13:54:13
41
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
谢谢楼上二位的鼓励 ~ 
2014/12/15 16:25:29
159
wangmeng861212
电源币:2 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:54
LV4
连长
标记下  
2012/06/27 16:16:11
45
409383591
电源币:0 | 积分:0 主题帖:2 | 回复帖:12
LV2
班长
楼上说的对    这样的帖子    简直太有意义了   合百家之所长啊   收藏好好品读
2013/01/11 13:15:15
104
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
讲得很好!
2014/03/20 19:28:49
145
apple3417
电源币:29 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:59
LV4
连长
恩,大部分MOS输出电容都是这个特性
2012/06/27 14:04:10
42
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
如果假设 Coss在 Ctot中占到超过一半或是80~90%的话,可以忽略其他的寄生电容、分布电容等等,用 Coss来当做Ctot计算MOS管开通损耗。不过,这是纸上谈兵的做法。

如果电源已经做好,能够观察波形的话,便可以得到 QR谐振的频率,进而准确的计算出Ctot的大小。 下面先来看看谐振的频率~
  
DCM模式,次级电流截止后,参与初级电容 Ctot 振荡的是初级电感 Lp。 而之前产生尖峰的是漏感 Lleak。(这个大家都很熟悉了)
  
这个谐振的频率可以写成
 
2013/01/11 13:15:46
105
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
震荡了么?
2012/06/27 14:18:04
43
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

前面我上了些MOS管的开关波形。由下面的波形图可以测量出,谐振的周期大概是3.2us(我自己在显示器上放大了用尺子量的,5us一格)。

  

已知初级电感 Lp=1.4mH,则根据频率公式可以推算出电容Ctot

 

如果我上面的计算没有错误的话,看来电容Ctot要比MOS管的Coss大不少啊 ~   也可能是我的变压器绕得太差劲了

2012/06/27 15:21:43
44
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

OB2361在低压满载的时候,频率固定在 50KHz, 工作于CCM模式。高压的时候工作在QR模式,频率会相应地升高,最高频率 90KHz。这里我们用一个固定频率 50KHz 的普通反激电源(低压满载CCM,高压DCM)来与之做比较。比较一下高压 Vin = 360V 时的MOS管开通损耗。 已知  Vor= 75V ; Ctot = 185pF

普通反激电源高压时,工作在 DCM模式,频率 50KHz。MOS管上的开通损耗功率为

QR反激电源高压时,工作在 QR模式,假设频率上升到 75KHz。MOS管上的开通损耗功率为 

 

两者相比,QR模式下的功率损耗要比DCM模式小 ~

0.87W-0.58W=0.29W  

0.29W 对于24W的电源来说是1% 多一点,如果考虑到由于频率上升而增加的变压器损耗和MOS管的关断损耗,实际的效率提高就不知道有没有1% 了

2012/06/27 16:22:12
46
zvszcs
电源币:220 | 积分:0 主题帖:228 | 回复帖:3326
LV12
元帅

不错,但是计算归计算,可以实际做两个电源看看,我做下来的效果,应该超过1%

QR还有一个优点,是大家喜欢用他的原因,就是次级同步整流变得简单了

2012/06/27 21:01:56
51
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
Z版做的电源有没有 PFC呢?如果是 PFC + QR,那么Vor 可以高很多。效率提高 1%以上应该是没有问题的 ~ 
2012/06/28 08:17:59
54
10227
电源币:780 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:423
LV7
旅长

团长,除了PFC能提升效率,是否还有其它方法?

2012/06/28 09:57:37
57
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
或者单电压220Vac输入的电源,QR的效果也会好些吧 ~
2012/07/02 20:33:13
66
创意人生
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:22
LV3
排长

有个问题想不明白,对于有加PFC的QR电路,如果PFC的输出电压为380V,那反射电压定多少V?理论上是不是反射电压<380V的话,占空比也<0.5.但实际上如果低压输入时,QR电路先启动,PFC电路后启动的话,那怎么办?

2013/01/31 16:17:11
119
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅
反射电压一般定120V。。。?;蛘吒?。。。
2013/11/28 16:08:26
137
少年鞍马
电源币:70 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:102
LV4
连长
Vor=Dmax/(1-Dmax)*VDCmin
2014/02/20 12:08:37
143
weile8574551
电源币:3 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:4
LV2
班长

这个公式对么?

2012/06/27 21:18:42
52
zq2007
电源币:174 | 积分:0 主题帖:122 | 回复帖:3590
LV11
统帅

好贴,

2012/06/28 08:32:52
55
zhenxiang
电源币:1249 | 积分:17 主题帖:164 | 回复帖:1534
LV10
司令
QR一般用的MOS要比CCM模式下要高,RDS也就会高点,且导通后峰值电流QR比CCM要大,次级整流管和滤波电容也比CCM模式下电流要大。这些损耗QR要比CCM还大吧
2012/06/28 08:44:54
56
蒋洪涛
电源币:2105 | 积分:0 主题帖:14 | 回复帖:306
LV6
团长

继续

2012/06/28 10:20:43
58
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

也不是都能用高压的MOS管。对于 90-264V电压输入的电源,实际上是想用高压MOS也没用,因为 Vor 不可能太高。 所以大家还是用600V的管子。请参看网友 peng425 的60W QR电源的线路图 

 
2012/06/28 22:48:37
60
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

TI 的 65W QR反激 (无PFC) 也是用600V的MOS管

 

2012/10/26 08:55:49
83
jiayanbo12345
电源币:2 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:54
LV4
连长

这个图画错了吗?有一个地方好像不该连起来的啊

 

2012/06/28 15:25:20
59
mjun
电源币:123 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:224
LV7
旅长

分析的很有道理!

2012/06/28 23:13:27
61
创意人生
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:22
LV3
排长

分析得很好很实在.我们这些农民都学到了不少东西.

2012/06/29 11:15:04
62
zh-cfl
电源币:42 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:200
LV6
团长

 输入供电端电压比较固定时,QR的优势比较明显

2013/07/04 15:33:26
127
1181908252
电源币:20 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:5
LV2
班长
你好!QR,PFC芯片直接供电,100W输出恒流350MA,电压100-300V,怎么改?
2013/07/04 15:38:54
128
1181908252
电源币:20 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:5
LV2
班长

怎么了?


2013/01/11 13:16:08
106
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
奇怪?
2013/06/10 21:48:30
126
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
怎么会出现这样的波形,MOS准备关断了但又推迟了下,求教大师们,OB2361 QR模式还会在轻载出现声音,
2012/06/29 14:11:16
63
qinzutaim[版主]
电源币:2711 | 积分:144 主题帖:38 | 回复帖:3695
LV11
统帅
记得当初玩QR的目的只是为了EMI好过一点,效率没什么改变.
2012/07/07 15:23:06
68
liuhueiwww
电源币:0 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:81
LV5
营长
用QR和PWM做12V8A。。。QR效率低1%以上。而且损耗几乎是多在变压器上面的,造成变压器温升很难处理。。。
2012/07/07 21:51:57
69
song_du
电源币:30 | 积分:1 主题帖:11 | 回复帖:61
LV4
连长

弱弱的问一句  我怎么不能贴图~~~~

2012/07/07 22:07:14
70
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
先用【浏览】选择要插入的文件/图片。待文件上传完毕后,文件名会出现在左下角并呈绿色。此时还要点击文件名右边的【插入编辑器】~
2012/07/07 23:07:33
71
lookingdong
电源币:191 | 积分:0 主题帖:34 | 回复帖:496
LV7
旅长
2012/07/07 23:13:10
72
song_du
电源币:30 | 积分:1 主题帖:11 | 回复帖:61
LV4
连长
  谢谢 我这个波形是不是不很理想啊 上面是满载 下面是轻载  好像没您贴出的漂亮~~
2012/07/07 23:14:09
73
song_du
电源币:30 | 积分:1 主题帖:11 | 回复帖:61
LV4
连长
晕 怎么成左右的了  左边满载波形 右边轻载波形
2012/07/08 15:16:46
74
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

还不错, 上面幅图有个地方好像差一点 ~ 像是有点 delay

 

2012/07/08 22:52:22
75
song_du
电源币:30 | 积分:1 主题帖:11 | 回复帖:61
LV4
连长

多谢指点 ~~~

2012/07/08 23:32:12
76
qi8903
电源币:13 | 积分:0 主题帖:9 | 回复帖:193
LV6
团长
先标记有时间讨论下
2014/01/15 20:29:03
141
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
谢谢大师
2014/08/10 18:50:58
156
971631040
电源币:304 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:23
LV3
排长
你用的是那颗控制芯片,能不能传份资料给我![email protected]
2013/01/11 13:16:42
107
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
DCM了!
2013/10/18 09:23:04
133
kissxiaolang
电源币:0 | 积分:0 主题帖:5 | 回复帖:166
LV6
团长
悲哀 看到这了  还不知道这是哪个元器件的波形呢  谁来告诉我
2014/03/20 19:43:20
146
apple3417
电源币:29 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:59
LV4
连长
MOS管的漏极电压波形,VDS
2012/08/22 12:33:12
78
静水流深HX
电源币:0 | 积分:0 主题帖:12 | 回复帖:15
LV4
连长
MARK     过几天有时间了   好好拜读下
2012/10/11 14:46:54
79
jiame2006
电源币:40 | 积分:5 主题帖:37 | 回复帖:445
LV7
旅长
好帖,先粗看一遍?;姑焕斫釷R的工作和控制过程,为什么叫准谐振呢?这个谐振指的是哪部分?
2012/10/11 15:11:06
80
power006
电源币:0 | 积分:0 主题帖:11 | 回复帖:101
LV5
营长

谐振,指的在DCM模式,漏感能量,导致漏感和MOS DS寄生电感间的谐振。

 

效率,我觉得要看输出。 QR反激,只适合输出高电压低电流。

为什么? 因为在DCM模式,这样变压器输出等效电流才小,变压器次级和整流管损耗才比较低。

如果输出电流比较大,比如5A,又必须在DCM模式,变压器次级等效电流比较高,次级绕组铜损和整流管损耗会比较大。 此时,CCM模式反激,效率很可能比QR反激更高。

2012/10/11 15:13:30
81
power006
电源币:0 | 积分:0 主题帖:11 | 回复帖:101
LV5
营长

要做准确的对比测试,我觉得只有一个办法:

同样的输入输出和功率元件,就反激的控制模式改变,QR,DCM,CCM 做个对比。

最好是输出电流从小到大都做个对比测试,一目了然。 纯粹理论分析,还不如做个试验,用数据说话。

2012/10/25 16:22:36
82
wkg518
电源币:40 | 积分:0 主题帖:6 | 回复帖:183
LV5
营长
又看到了一个好贴
2012/10/26 09:14:06
84
qinzutaim[版主]
电源币:2711 | 积分:144 主题帖:38 | 回复帖:3695
LV11
统帅

要不POWER006做这个实验,看看效果如何?

2012/10/27 19:42:02
85
夏天的风
电源币:0 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:141
LV5
营长
关注中...
2013/07/19 11:52:02
130
wusi-dt
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LV8
师长

严重支持

2012/10/27 19:45:15
86
夏天的风
电源币:0 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:141
LV5
营长

如果输出电流比较大,比如5A,又必须在DCM模式,变压器次级等效电流比较高,次级绕组铜损和整流管损耗会比较大。 此时,CCM模式反激,效率很可能比QR反激更高。

 :CCM 效率高.但是SB就会很难选择. 这是最热就是SB.  但是用QR 做平行很多元件.

2013/01/11 13:17:06
108
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
讲得很好!
2012/10/27 21:07:23
88
gaohq
电源币:60 | 积分:5 主题帖:48 | 回复帖:443
LV8
师长
难得的好贴,谢谢帖主,强烈建议加入精华帖标志。
2012/12/16 18:43:55
89
waterayay
电源币:407 | 积分:0 主题帖:7 | 回复帖:472
LV7
旅长
2012/12/16 21:54:50
90
蚂蚁电源
电源币:0 | 积分:0 主题帖:50 | 回复帖:688
LV8
师长
d
2013/01/06 19:00:38
91
rener
电源币:30 | 积分:0 主题帖:18 | 回复帖:288
LV6
团长
好帖,顶楼主
2013/01/11 13:17:37
109
Constance[版主]
电源币:2498 | 积分:86 主题帖:107 | 回复帖:1599
LV11
统帅
2013/01/16 22:41:01
110
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅

现在在做OB2203。。。。一直找不到原理。。。呵。。

先做一下记号。。

2013/01/17 10:31:38
111
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅
QR的反激电源,迟早要成为主流的。。。。。因为6级能效开始了。。。
2013/01/22 09:26:55
115
powergdsz
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:63
LV5
营长

认知的问题??;

如果你在IC设计公司,算是误导了;

QR有QR的优点,也有QR的缺点;

6级能效,使用QR与QR流行不流行没直接的关系;

还是要以最小的成本设计出满意的电源;

 

2013/01/28 22:00:16
116
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅

这是个人的认为。。。

因为软开关,肯定会向小功率化的方向发展的。。

2013/01/21 20:52:22
113
amonson
电源币:723 | 积分:0 主题帖:4 | 回复帖:390
LV8
师长

首先,高压的时候,无论是不是QR一般都工作在DCM模式,那么此时采用QR方式可以提高一些效率。到底QR降低了哪些损耗?

1、开关管上的损耗,因开通电压较低,所以在Coss上的损耗降低,但这只是一部分。另一个原因由于QR为变频控制,QR模式的f会增加,则根据P=0.5*L*Ipk2*f可得Ipk降低,所以导通损耗也会降低一些,如果f增大1.5倍,则导通损耗降为原来的2/3。

2、变压器及线路的分布参数损耗,变压器初级的分布电容和Coss是串联关系,所以这个损耗也会降低。另一方面,因f的提高,所有等效串联电阻上的损耗都会降低,即使QR和CCM在低压满载时的初级电流波形一模一样,到了高压满载因QR的频率升高,也会导致变压器的直流电阻损耗降低。

3、次级二极管的损耗,DCM模式没有反向恢复带来的损耗,根据P=0.5*L*Ipk2*f不变、f增加,得到Ipk*f增加,所以二极管上的损耗P=VD*0.5*D*Ipk*f有所增加。

4、输入输出电容和其他滤波器件的损耗,因Ipk降低,故Irms也降低,所以这些滤波器件上的损耗都会略微降低。

5、驱动损耗,因f提高,所以驱动损耗略有升高。

综合来看,有2处损耗增加,其余部分损耗均降低,所以到底整体效率能提高多少,还是需要对各处损耗做综合考虑才可以得到。

2013/01/21 23:23:14
114
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长
 提高频率,MOS管的开关损耗会加大,变压器的磁芯损耗更是成指数的增长。单纯的提高频率,总的损耗会变大。大家得出的经验是 - 在频率60-70KHz时的效率相对要高些。通常来说,当频率高于60-70KHz时,总的损耗会逐渐加大。频率过高时,QR的效果也将会被抵消。于是很多QR的IC对频率都设有上限,像OB2361的频率上限是95KHz ~

       
2013/01/31 15:05:57
117
iiiisve
电源币:0 | 积分:0 主题帖:8 | 回复帖:21
LV4
连长
mark
2013/11/30 10:52:29
139
oyang314
电源币:3 | 积分:5 主题帖:4 | 回复帖:134
LV5
营长
2013/01/31 16:56:37
120
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅
感谢楼主精彩的解说。。。。很容易就理解QR了。。。。
2013/03/14 17:54:53
121
xx88jj88jj88
电源币:9 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:56
LV4
连长
关注,学习
2013/03/26 23:20:00
122
心碎的乌托邦
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LV6
团长
学习楼主精彩的讲解,最近也在做一款QR模式的机种,
2013/03/29 00:03:42
124
台达NEM
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:35
LV3
排长

楼主对QR的分析及图示比较好!

QR合适用在单高压场合及同步整流控制场合!

对于其它场合能提高效率,保留意见,毕竟效率是综合的因素!



2013/06/08 20:32:13
125
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长

DCM 模式,怎么会出现这样的波形,MOS准备关断了但又推迟了下,求教大师们, 怎么避免,

2013/07/10 23:29:19
129
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长

怎么没大侠回?请教各位!!

2013/08/07 16:03:06
131
mko145
电源币:1624 | 积分:0 主题帖:23 | 回复帖:582
LV8
师长

我发现这个问题主要是由两个原因引起的 -

1. PCB走线不合理。MOS管驱动部分的走线要尽量短一些,不要太细。最好贴近到MOS管S极之间的地线,使驱动线路与地线回路之间围住的面积尽量小。(请参看下图)

2. MOS管S极到地之间的电阻,要用无感电阻。

 

2013/08/07 18:55:11
132
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
谢谢大侠,
2013/10/18 17:25:43
134
75482758
电源币:43 | 积分:0 主题帖:10 | 回复帖:392
LV6
团长
学习了
2013/11/22 21:45:28
135
sonny9665
电源币:169 | 积分:0 主题帖:18 | 回复帖:58
LV4
连长
好贴,MARK一下
2013/11/30 11:53:08
140
oyang314
电源币:3 | 积分:5 主题帖:4 | 回复帖:134
LV5
营长
刚好在用OB2361学习一下
2014/03/20 18:43:43
144
apple3417
电源币:29 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:59
LV4
连长
不得不说,这是个牛贴啊,版主讲的很好,受益匪浅啊
2014/04/19 09:35:50
148
huide2000
电源币:0 | 积分:0 主题帖:1 | 回复帖:9
LV2
班长
QR的异音问题如何解决
2014/04/27 15:26:59
149
hjt415
电源币:21 | 积分:5 主题帖:0 | 回复帖:107
LV4
连长
受益匪浅
2014/05/05 20:53:49
150
oyang314
电源币:3 | 积分:5 主题帖:4 | 回复帖:134
LV5
营长
最近有用到QR,感觉效率一直没什么提升,又来这里学习了。
2014/05/05 21:21:10
151
120421322
电源币:0 | 积分:0 主题帖:25 | 回复帖:110
LV6
团长
哈哈,我也碰到噪音问题了!
2014/05/05 22:46:20
152
georeysh
电源币:27 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:8
LV1
士兵
需要正确看待QR功能,由于开关管导通时电流从最小逐渐增大,不会减少多少损耗。更应该去分析反激时间和非反激时间的比例关系,他会影响到次极二极管的损耗,比开关损耗大的多。
2014/08/10 18:20:32
154
12f675
电源币:0 | 积分:0 主题帖:0 | 回复帖:31
LV4
连长
GG
2015/01/03 18:45:27
161
心碎的乌托邦
电源币:27 | 积分:5 主题帖:12 | 回复帖:169
LV6
团长
QR模式 MOS在谷底导通,能提升能效,现在60W以下的V级做法多采用QR的IC
2015/02/02 20:16:57
162
998yang
电源币:3 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:5
LV2
班长
有没有人知道,测试传导,轻载500KHz那个频点会冒出来,而MOS的谐振频率也正好在500Khz,要如何解决?
2018/06/07 09:35:45
166
dxsmail[版主]
电源币:392 | 积分:15 主题帖:86 | 回复帖:2636
LV11
统帅
加强差模抑制。。。共模也加大试试。。。正常传导比较容易通过。。。
2015/05/12 17:13:21
164
jacky_ccf
电源币:21 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:97
LV4
连长
说的太好了
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