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中国福利彩票双色球玩法: 功率MOS管器件发热损坏的原因有哪些?
阅读: 205 |  回复: 1 楼层直达

2019/03/30 20:28:34
1
one_day
电源币:0 | 积分:3 主题帖:3 | 回复帖:0
LV1
士兵

空竹的玩法 www.2n0d.com.cn 由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗引起的发热

导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大,导致一定电流下,功耗增加)

●由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极?。?/span>

瞬态功率原因:外加单触发脉冲

负载短路

开关损耗(接通、断开) *(与温度和工作频率是相关的)

内置二极管的trr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)

器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。

2019/04/15 16:35:16
2
lishenxin9988
电源币:0 | 积分:3 主题帖:21 | 回复帖:2
LV2
班长

1:驱动频率过高。

2:G极驱动电压不够。

3:通过漏极和源极的Id电流太高。

因此测试重点放在MOS管上,准确测试它的工作状况,才是问题的根本。

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